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活動2 晶體三極管的選用

任務2 晶體三極管

活動2 晶體三極管的選用

學習目標

1.熟悉三極管的結(jié)構(gòu)、分類和型號;了解三極管的主要參數(shù)。

2.掌握三極管的電流分配和放大作用;了解三極管的輸入、輸出特性曲線(共射接法)及其三個工作區(qū)域的劃分;掌握PLC的結(jié)構(gòu)與特點。

3.掌握三極管的簡易測試。

4.通過查閱資料,能釋讀三極管的主要參數(shù)。

建議學時

6學時

知識準備

一、三極管的命名

1.國產(chǎn)晶體三極管的命名方法

第一部分:數(shù)字表示器件電極數(shù)目。

第二部分:拼音字母表示器件的材料和極性。

第三部分:拼音字母表示器件的類型。

第四部分:數(shù)字表示序號。

第五部分:字母表示區(qū)別代號。

另外,3DJ型為場效應管,BT打頭的表示半導體特殊元件。晶體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示,例如:Q17表示編號為17的三極管。

2.國外晶體三極管的命名

(1)日本:第一部分用數(shù)字2表示具有2個PN結(jié);第二部分用字母S表示屬于日本電子工業(yè)協(xié)會注冊登記的產(chǎn)品;第三部分用字母表示二極管的極性與類型,A表示PNP型高頻,B表示PNP型低頻,C表示NPN型高頻,D表示NPN型低頻;第四部分用兩位數(shù)字表示注冊登記的順序號,若數(shù)字后面跟有A、B、C等字母,則表示是原型號的改進產(chǎn)品。

(2)美國:美國生產(chǎn)的晶體三極管命名方法與日本相似。第一部分為數(shù)字2;第二部分用字母N表示屬美國電子工業(yè)協(xié)會注冊的產(chǎn)品;第三部分用多位數(shù)字表示注冊登記的序號。

(3)歐洲國家:第一部分用字母表示硅鍺材料,A表示鍺管,B表示硅管;第二部分用字母表示晶體類型,C表示低頻小功率管,D表示低頻大功率管,F(xiàn)表示高頻小功率管,L表示高頻大功率管,S表示小功率開關(guān)管,U表示大功率開關(guān)管;第三部分用三位數(shù)字表示登記序號;第四部分為β參數(shù)分擋標志。

二、三極管的封裝形式和管腳識別

PNP型和NPN型三極管如圖1-2-1所示。

圖1—2—1 PNP型和NPN型三極管

常用三極管的封裝形式有金屬封裝(一般為鐵質(zhì)外盒外表鍍金屬或噴漆,并印上型號)、塑料封裝(型號印在塑料外盒上)、玻璃封裝(外盒噴上黑色或灰色的漆,再印上型號)三大類。引腳的排列方式具有一定的規(guī)律:對于小功率金屬封裝晶體三極管,按底視圖位置放置,使三個引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點,從左向右依次為E、B、C;對于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己,三個引腳朝下放置,則從左到右依次為E、B、C。對于只有兩個引腳的大功率金屬封裝晶體三極管,按底視圖位置放置,兩個引腳在左側(cè),外殼是集電極C,基極B在下面,發(fā)射極E在上面。對于三個引腳的大功率晶體三極管,按底視圖位置放置,兩個引腳在右側(cè),則下面的引腳為發(fā)射極E,按逆時針方向,分別為E、B、C。四個引腳的晶體三極管有一個突起的定位梢,分辨各引腳時,各引腳朝上,從定位梢順時針方向依次為E、B、C、D,其中D為接外殼的引腳。目前,國內(nèi)各種類型的晶體三極管有許多種,管腳的排列不盡相同,在使用中不確定管腳排列的三極管,必須進行測量,確定各管腳正確的位置,或查找晶體管使用手冊,明確三極管的特性及相應的技術(shù)參數(shù)和資料。

三、普通晶體三極管的參數(shù)

1.電流放大系數(shù)

1)共發(fā)射極電流放大系數(shù)

(1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)。它表示三極管在共射極連接時,某工作點處直流電流ICIB的比值。

(2)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)β。它表示三極管共射極連接且UCE恒定時,集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB之比,即:二極管的β值太小時,放大作用差;β值太大時,工作性能不穩(wěn)定。因此,一般選用β為30~80的二極管。

2)共基極電流放大系數(shù)

(1)共基極直流電流放大系數(shù)。它表示三極管在共基極連接時,某工作點處ICIE的比值。

(2)共基極交流電流放大系數(shù)α。它表示三極管作共基極連接時,在UCB恒定的情況下,ICIE的變化量之比。

2.極間反向電流

1)集—基反向飽和電流ICBO

ICBO是指發(fā)射極開路,在集電極與基極之間加上一定的反向電壓時,所對應的反向電流。它是少子的漂移電流。在一定溫度下,ICBO是一個常量。隨著溫度的升高,ICBO將增大,它是三極管工作不穩(wěn)定的主要因素。在相同環(huán)境溫度下,硅管的ICBO比鍺管的ICBO小得多。

2)穿透電流ICEO

ICEO是指基極開路,集電極與發(fā)射極之間加一定反向電壓時的集電極電流。ICEOICBO的關(guān)系為:該電流好像從集電極直通發(fā)射極一樣,故稱為穿透電流。ICEOICBO一樣,也是衡量三極管熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)。

3.頻率參數(shù)

頻率參數(shù)是反映三極管電流放大能力與工作頻率關(guān)系的參數(shù),表征三極管的頻率適用范圍。

1)共射極截止頻率fβ

三極管的β值是頻率的函數(shù),中頻段β=β0,幾乎與頻率無關(guān),但是隨著頻率的增高,β值下降。當值下降到中頻段fβ表示。

2)特征頻率fT

當三極管的β值下降到β=1時所對應的頻率,稱為特征頻率。在fβfT的范圍內(nèi),β值與f幾乎成線性關(guān)系,f越高,β越小,當工作頻率ffT時,三極管便失去了放大能力。

4.極限參數(shù)

1)最大允許集電極耗散功率PCM

PCM是指三極管集電結(jié)受熱而引起晶體管參數(shù)的變化不超過所規(guī)定的允許值時,集電極耗散的最大功率。

2)最大允許集電極電流ICM

IC很大時,β值逐漸下降。一般規(guī)定在β值下降到額定值的2/3(或1/2)時所對應的集電極電流為ICM,當ICICM時,β值已減小到不實用的程度,且有燒毀三極管的可能。

3)反向擊穿電壓BVCEO與BVCBO

BVCEO是指基極開路時,集電極與發(fā)射極間的反向擊穿電壓。BVCBO是指發(fā)射極開路時,集電極與基極間的反向擊穿電壓。一般情況下同一個三極管的BVCEO=(0.5~0.8)BVCBO。三極管的反向工作電壓應小于擊穿電壓的1/2~1/3,以保證三極管安全可靠地工作。三極管的三個極限參數(shù)PCMICM、BVCEO和前面講的臨界飽和線、截止線所包圍的區(qū)域,便是三極管安全工作的線性放大區(qū)。一般作放大用的三極管,均須工作于此區(qū)。

活動實施

一、普通晶體三極管的選用

1.小功率三極管的選用

(1)明確電子電路的工作頻率,一般要求晶體三極管的特征頻率f大于3倍實際工作的頻率。

(2)一般小功率晶體三極管的VCEO都不低于15V,所以在無電感元件的低電壓中不予考慮。當負載為感性負載時(線圈等),應根據(jù)VCEO大于電源的最高電壓選用。

(3)ICM一般為30~50mA,小信號電路不予考慮。

(4)當實際功耗PC大于PCM時,不僅使二極管的參數(shù)發(fā)生變化,甚至還會燒壞三極管。PCM可由下式計算:

PCM=ICUCE

2.大功率三極管(ICM>1A,PCM>1W)的選用

(1)VCEO選用同上。

(2)ICM根據(jù)晶體三極管所帶負載而計算。

(3)PCM應留有充分的裕量,同時大功率晶體管必須有良好的散熱。

二、普通晶體三極管的檢測

1.三極管的管型及管腳的判別

1)判別基極和管型

三極管是含有兩個PN結(jié)的半導體器件。根據(jù)兩個PN結(jié)連接方式不同,可以分為NPN型和PNP型兩種不同導電類型的三極管,測試三極管要使用萬用電表的歐姆擋,并選擇R3100或R31k擋位。假定并不知道被測三極管是NPN型還是PNP型,也分不清各管腳是什么電極。測試的第一步是判斷哪個管腳是基極。將萬用表置于電阻擋,紅表筆任意接觸晶體管的一個電極,黑表筆依次接觸另外兩個電極,分別測出它們之間的電阻值。若測出的電阻值均為幾百歐的低電阻,則紅表筆接觸的電機為基極B,此管為PNP型管;若測出的電阻值均為幾十千歐至上百千歐的大電阻,則紅表筆接觸的電極也為基極B,此管為NPN型管。圖1—2—2為普通晶體三極管的檢測。

圖1—2—2 普通晶體三極管的檢測

2)判別集電極和發(fā)射極

方法一:

將萬用表置于電阻擋,對于PNP型管,紅表筆接基極,黑表筆分別接觸另外兩個引腳,測出兩個電阻。阻值小的,黑表筆接的為集電極;阻值大的,黑表筆接的是發(fā)射極。對于NPN型管,黑表筆接基極,阻值小的,紅表筆接的為集電極;阻值大的,紅表筆接的為發(fā)射極。

方法二:

(1)對于NPN型三極管,用萬用表的黑、紅表筆顛倒測量兩極間的正、反向電阻RCE和REC,雖然兩次測量中萬用表指針偏轉(zhuǎn)角度都很小,但仔細觀察,總會有一次偏轉(zhuǎn)角度稍大,此時電流的流向一定是:黑表筆→C極→B極→E極→紅表筆,電流流向正好與三極管符號中的箭頭方向一致(“順箭頭”),所以此時黑表筆所接的一定是集電極C,紅表筆所接的一定是發(fā)射極E。

(2)對于PNP型的三極管,道理也類似于NPN型,其電流流向一定是:黑表筆→E極→B極→C極→紅表筆,其電流流向也與三極管符號中的箭頭方向一致,所以此時黑表筆所接的一定是發(fā)射極E,紅表筆所接的一定是集電極C。

在“順箭頭,偏轉(zhuǎn)大”的測量過程中,若由于顛倒前后的兩次測量指針偏轉(zhuǎn)均太小難以區(qū)分時,就要“動嘴巴”了。具體方法是:在“順箭頭,偏轉(zhuǎn)大”的兩次測量中,用兩只手分別捏住兩表筆與管腳的結(jié)合部,用嘴巴含住(或用舌頭抵住)基電極B,仍用“順箭頭,偏轉(zhuǎn)大”的判別方法即可區(qū)分開集電極C與發(fā)射極E。其中人體起到直流偏置電阻的作用,目的是使效果更加明顯。

方法三:

將萬用表置于電阻擋,任意假定一個電極為集電極C,以PNP型為例,將紅表筆接C極,黑表筆接E極,再用手同時捏一下二極管的B、C極測出某一阻值。然后兩表筆對調(diào)進行測量,將兩次測出的阻值進行比較,阻值小的一次,紅表筆所接的電極為集電極。對于NPN型黑表筆對應的是集電極。

2.判別硅管與鍺管

1)電阻法

將萬用表置于電阻擋,對于PNP管紅表筆接基極,黑表筆接集電極或發(fā)射極(NPN型,黑表筆接基極,紅表筆接集電極或發(fā)射極)。若萬用表在表盤右端(即電阻值較小),則此管為鍺管;若指針在表盤中間或偏右位置上(即電阻值較大),則被測二極管為硅管。

2)電壓法

一般鍺管發(fā)射結(jié)正向壓降為0.1~0.3V,一般硅管發(fā)射結(jié)正向壓降為0.6~0.7V,可用萬用表電壓擋在線測量壓降。

3.測量極間電阻

將萬用表置于R3100或R31k擋,按照紅、黑表筆的六種不同接法進行測試。其中,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的正向電阻值比較低,其他四種接法測得的電阻值都很高,為幾百千歐至無窮大。但不管是低阻還是高阻,硅材料三極管的極間電阻要比鍺材料三極管的極間電阻大得多。

4.測量穿透電流ICEO

三極管的穿透電流ICEO的數(shù)值近似等于二極管的倍數(shù)β和集電結(jié)的反向電流ICBO的乘積。ICBO隨著環(huán)境溫度的升高而增長很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大將直接影響二極管工作的穩(wěn)定性,所以在使用中應盡量選用ICEO小的二極管。通過用萬用表電阻直接測量三極管E—C極之間的電阻方法,可間接估計ICEO的大小,具體方法如下:萬用表電阻的量程一般選用R3100或R31k擋,對于PNP管,黑表筆接E極,紅表筆接C極,對于NPN型三極管,黑表筆接C極,紅表筆接E極。要求測得的電阻越大越好。E—C間的阻值越大,說明二極管的ICEO越小;反之,所測阻值越小,說明被測管的ICEO越大。一般來說,中、小功率硅管、鍺材料低頻管,其阻值應分別在幾百千歐、幾十千歐及十幾千歐以上,如果阻值很小或測試時萬用表指針來回晃動,則表明ICEO很大,二極管的性能不穩(wěn)定。如果阻值很小或測試時用手捏住管殼1min,萬用表指針擺動速度快,則二極管的性能差。

5.測量穿透電流ICBO

以PNP型為例,將萬用表置于R×1k擋,紅表筆接集電極,黑表筆接基極,測出集電極的反向電阻值(正常是為幾百歐或幾千歐)。此值越大,說明集電極反向飽和電流就越小。ICBO大的晶體管,其反向漏電流大,工作不穩(wěn)定。

6.測量電流放大系數(shù)βhEF

1)中小功率晶體三極管的測量

(1)數(shù)字式萬用表:以測量PNP型管為例,首先將數(shù)字萬用表的量程開關(guān)撥到PNP擋,然后將晶體三極管插入孔中(注意C、B、E的對應),接著將電源開關(guān)撥到“NO”處,數(shù)字萬用表顯示的數(shù)值為直流放大系數(shù)。

(2)模擬式萬用表:將萬用表置于直流50mA擋,然后將晶體三極管接入電路中(E為1.5V,R為30kΩ)。根據(jù)萬用表的指示值I即可得出β=20I。將三極管的C、B或E、C極接入相應電路,此電路還可測量晶體三極管的ICBOICEO值。

2)大功率晶體管的檢測

將萬用表置于直流100mA擋(電阻R的阻值為20Ω,功率大于5W,晶體二極管V D選用硅二極管,直流穩(wěn)壓電源E為12V,輸出電流大于600mA),此時所測電流值為基極電流IB,且電流放大系數(shù)hEF=(IC/IB—1)(IB單位為mA,VCE為1.5~2V,IC為500mA左右)。

7.測量放大能力

以測PNP型管為例,將萬用表置于R×1k擋,紅表筆接集電極,黑表筆接發(fā)射極,測出電阻值。然后利用人體電阻,即用手捏住C、B兩極(注意C、B間不能短路),此時萬用表指示的電阻值變小,電阻變得越小,則表明被測得晶體三極管的β值越大,即放大能力越強。

8.測量大功率晶體管的飽和壓降

集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降為VCES。將萬用表置于直流10V電壓擋(E為12V,R1為20 Ω/5W,R2為200 Ω/0.25W),IC為600mA,IB為60mA。NPN基極與發(fā)射極之間的飽和壓降為VBES

9.判別高頻管與低頻管

以NPN型為例,將萬用表置于R×1k擋,黑表筆接發(fā)射極,紅表筆接基極,此時電阻值應在幾百千歐以上。然后將萬用表量程開關(guān)撥至R×10k擋,紅黑表筆接法不變,重新測量一次E、B間的電阻值。若測得的電阻值與第一次測得的電阻值相差不大,則說明被測管為低頻管;若電阻值相差很大,且超過量程的1/3,則說明是高頻管。

活動評分標準:

收獲和體會:

想一想,寫一寫認識三極管的收獲和體會。

評議:

根據(jù)三極管的實訓課題,在聽取小組實訓成果匯報的基礎(chǔ)上,進行評議,填寫課題實訓情況評議表。

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