1.2 內容安排和說明

目前，有兩類關于化合物半導體器件的著作：一類是由理論研究人員撰寫的器件物理方面的經典著作，注重器件理論模型，但往往弱化了化合物半導體材料制備和器件工藝的問題；另一類著作從新型器件的實驗和器件工藝出發，所涉及的理論模型一般較為簡單。從理論分析和工程實際的完整性考量，兩者都不適合作為教材。

本書的作者通過總結自己的工作，結合電子工業發展的最新現狀，系統、全面地介紹了化合物半導體器件最前沿的研究和發展，從理論模型和工藝實驗兩個方面闡述了多種器件的工作機理和發展現狀。除了器件的工作原理，作者還對半導體材料的基礎研究及其對器件的影響等方面做了較詳細的闡述。

第1章為緒論，簡要介紹了化合物半導體的歷史和發展。

第2章介紹了半導體器件物理的基礎內容、化合物半導體材料及其基本電學特性。系統的介紹了半導體材料與器件物理相關的一些基本概念，包括晶格結構、能帶理論、有效質量近似，以及電子能態密度等。

第3章至第7章系統地講述了幾種重要的化合物半導體器件及其特性。從基本的異質結和肖特基二極管出發，討論了雙極型器件和場效應器件，最后討論量子效應、熱電子器件和光電子器件。

第8章結合我們研究團隊的成果，以SiC和GaN微波功率器件和光電器件為主，特別介紹了近年來的研究熱點——寬禁帶半導體材料與器件。

本書可作為高等學校微電子學、集成電路設計及相關專業的研究生和本科高年級學生“化合物半導體材料和器件”課程的教材；也可作為從事化合物半導體材料或器件分析的科研和工程技術人員的參考。各章后配有思考題，可供讀者選做。